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          場效應MOS管75N3LLH6參數

          PD最大耗散功率:60WID最大漏源電流:75AV(BR)DSS漏源擊穿電壓:30VRDS(ON)Ω內阻:0.0055ΩVRDS(ON)ld通態電流:37.5AVRDS(ON)柵極電壓:10VVGS(th)V開啟電壓:1~2.5VVGS(th)ld(μA)開啟電流:250μA

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            工廠地址:安徽省六安市金寨產業園區
            深圳辦事處地址:深圳市福田區寶華大廈A1428
            中山辦事處地址:中山市古鎮長安燈飾配件城C棟11卡
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